Lecture 작용 정전 용량

단도체의 작용 정전 용량

3상 선로의 작용 정전 용량은 자리 바꿈이 충분히 되어 정 삼각형 배치와 등가인 3상 선로 중심의 가상적인 영전위 점과 각 도체간의 커패시턴스로 볼 수 있습니다.

단도체 선로의 작용 정전 용량은 다음과 같이 나타낼 수 있습니다.

$$\color{red} C_w = \frac{0.02413}{\log_{10}\dfrac{D_m}{r}} \, \,[\mathrm{\mu F/km}]$$

위식에서 각 기호의 의미는 다음과 같습니다.

• $D_m$ : 각 상 도체간의 등가 선간 거리(기하 평균 거리)
• $r$ : 도체의 반지름

다도체의 작용 정전 용량

다도체로 구성된 3상 선로의 작용 정전 용량은 다음과 같이 나타낼 수 있습니다.

$$\color{red} C_w = \frac{0.02413}{\log_{10}\dfrac{D_m}{\sqrt[n]{rs^{n-1}}}} \,\,[\mathrm{\mu F/km}]$$

위식에서 각 기호의 의미는 선로의 인덕턴스의 경우와 동일합니다.

• $D_m$ : 각 상 도체간의 등가 선간 거리(기하 평균 거리)
• $R_e$ : 다도체의 등가 반지름(기하 평균 반지름) $(= \sqrt[n]{rs^{n-1}})$
• $r$ : 도체의 반지름
• $n$ : 상당 도체수
• $s$ : 소도체의 평균 반지름